Der weltweite Markt für SiC- und GaN-Leistungshalbleiter wird auf 884 Millionen US-Dollar im Jahr 2022 geschätzt. Die Nachfrage nach SiC- und GaN-Leistungshalbleitergeräten wird Prognosen zufolge bis 2032 den Marktwert von 6.954 Millionen US-Dollar übersteigen. Es wird eine enorme Wachstumsrate von 22,9 % prognostiziert die Nachfrage nach diesen elektronischen diskreten Komponenten im Prognosezeitraum 2022-32.
Unternehmen im IKT-Sektor nutzen Technologien wie Cloud Computing und künstliche Intelligenz stark, um einen reibungslosen Betrieb aufrechtzuerhalten, da immer mehr Mitarbeiter von zu Hause aus arbeiten. Das Wachstum wird durch einen Fokus auf schnelle Automatisierung und den Einsatz von Echtzeitbetrieb in einer Vielzahl von Endverbrauchsbranchen, einschließlich der Automobil-, Lebensmittel- und Getränkeindustrie und anderer Sektoren, stimuliert.
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- Die Vincotech GmbH, ein führender Hersteller von Leistungshalbleitern, hat seine Produktionslinie im Mai 2019 in Europa erweitert.
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Schlüsselsegmente des Marktes für SiC- und GaN-Leistungshalbleiter
- Nach Materialtyp
- SiC
- GaN
- Nach Komponente
- SiC-Leistungsmodule
- GaN-Leistungsmodule
- Diskrete SiC-Leistungsbauelemente
- Diskrete GaN-Leistungsgeräte
- Durch Anwendung
- Netzteile
- Kabelloses Laden
- Stromspeicher
- Hybrid- und EV-Komponenten
- HEV-Ladegeräte
- Motorantriebe
- PV-Wechselrichter
- Fahrmotorkomponenten
- Andere
Wichtige Unternehmen im Profil
- VisIC Technologies Ltd
- Panasonic Corporation
- NXP Semiconductors NV
- GaN Systems Inc.
- Exagan SAS
- Cambridge Electronics
- Avogy, Inc.
- Vincotech GmbH
- United Silicon Carbide Inc.
- STMicroelectronics NV
- Raytheon-Unternehmen
- Genetische Halbleiter Inc
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Inhaltsverzeichnis
1. Zusammenfassung
1.1. Globaler Marktausblick
1.2. Zusammenfassung der Statistik
1.3. Zusammenfassung der wichtigsten Ergebnisse
1.4. Fact.MR-Analyse und Empfehlungen
2. Marktübersicht
2.1. Marktabdeckung / Taxonomie
2.2. Marktdefinition / Geltungsbereich / Beschränkungen
3. Markthintergrund und Grundlagendatenpunkte
3.1. Überblick über die Produktionsmethode: SiC- und GaN-Pulverhalbleiter
3.2. SiC- und GaN-Pulverhalbleiter: Anwendungszuordnung
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